Infineon MOSFET, Gate-drivare 1, 8 A, 6 Ben 20V, SOT-23

RS-artikelnummer:: 222-4762
Tillv. art.nr:: 1EDN7511BXUSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon MOSFET, Gate-drivare 1, 8 A, 6 Ben 20V, SOT-23

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

8 991,00 kr

(exkl. moms)

11 238,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 19 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	2,997 kr	8 991,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 222-4762
Tillv. art.nr:: 1EDN7511BXUSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	Gate-drivare
	Utström	8A
	Antal ben	6
	Kapseltyp	SOT-23
	Falltid	4.5ns
	Antal utgångar	5
	Typ av drivsteg	MOSFET
	Stigtid	6.5ns
	Minsta matningsspänning	4.2V
	Maximal matningsspänning	20V
	Antal drivare	1
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.45mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	1.6mm
	Serie	1EDN7511B
	Längd	2.9mm
	Typ av fäste	Yta
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp Gate-drivare
	Utström 8A
	Antal ben 6
	Kapseltyp SOT-23
	Falltid 4.5ns
	Antal utgångar 5
	Typ av drivsteg MOSFET
	Stigtid 6.5ns
	Minsta matningsspänning 4.2V
	Maximal matningsspänning 20V
	Antal drivare 1
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.45mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 1.6mm
	Serie 1EDN7511B
	Längd 2.9mm
	Typ av fäste Yta
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - 1EDN7511BXUSA1

Infineon 1EDN7511B-serien grinddrivare, 4,2 V minsta matningsspänning, 20 V maximal matningsspänning - 1EDN7511BXUSA1

Denna grinddrivare är en enkanalig MOSFET-drivare avsedd för att styra effekttransistorer i låg- till medelspänningssystem. Den drivs med låg strömförsörjning och är lämplig för ytmonterade tillämpningar där ett kompakt fotavtryck och värmebeständighet krävs. Enheten erbjuder snabb omkopplingsförmåga och flera utgångar för att driva MOSFET-grindar i ett kompakt paket.

Funktioner och fördelar:

• Stöder matningsområde 4,2–20 V vilket möjliggör flexibla strömförhållanden
• Levererar 8 A utgångsström för effektiv MOSFET-gate-laddning
• Fem utgångar möjliggör samtidig grindstyrning av flera transistorer
• Stigtid 6,5 ns för snabb påslagning
• Falltid 4.5 ns för snabba avstängningsövergångar
• Fungerar mellan -40 och 150 °C för utökade temperaturer

Användningsområden

• Lämplig för att driva flera effekt-MOSFET:er i omvandlarstegen
• Idealisk för kompakta ytmonterade strömmoduler och styrenheter
• Används med grindtopologier med en kanal som kräver hög toppström
• Kan användas för högfrekventa switchade nätaggregat
• Lämplig för kompakta drivkretskort för motorstyrning

Vilket paket och antal stift använder den?

Den levereras i ett 6-stifts SOT-23-paket som är lämpligt för ytmontering.

Hur fungerar den i termiskt krävande miljöer?

Den är klassad för drift upp till 150 °C max och ned till -40 °C min.

Vilken typ av grinddrivare och utgångsarrangemang tillhandahåller den?

Det är en MOSFET-drivare med en drivkanal och fem utgångar.

Vilka är enhetens mått för kretskortslayoutplanering?

Förpackningen är 2,9 mm lång, 1,6 mm bred och 1,45 mm hög.

Vilken elektrisk prestanda bör förväntas för omkopplingsdynamiken?

Räkna med en stigtid på 6,5 ns och en falltid på 4,5 ns med en utgångskapacitet på 8 A.