Infineon MOSFET, MOSFET, 8 A, 4 Ben 20V, SOT-23-6

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

38,53 kr

(exkl. moms)

48,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 975 enhet(er) levereras från den 24 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 457,706 kr38,53 kr
50 - 1206,966 kr34,83 kr
125 - 2456,474 kr32,37 kr
250 - 4956,07 kr30,35 kr
500 +5,644 kr28,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-2256
Tillv. art.nr:
1EDN7550BXTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

8A

Antal ben

4

Kapseltyp

SOT-23-6

Falltid

15ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Minsta matningsspänning

4.5V

Maximal matningsspänning

20V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

DIN EN 60747-5-2

Fordonsstandard

Nej

Infineon 1EDNx550 EiceDRIVERTM gate-drivkretsar är enkanaliga, oisolerade gate-drivkretsar med verkligt differentiella ingångar (TDI) för att förhindra falsk utlösning av effekt-MOSFET:er.

Mycket stor common-mode-ingångsspänning

intervall (CMR statisk) upp till ±200 V, konfigurerbar

med CM-motstånd.

Separat lågimpedanskälla (4 A) och

sink (8 A)-utgångar.

45 ns propagationsfördröjning (-7/+10 ns noggrannhet).

Fyra UVLO-alternativ: 4 V, 8 V, 12 V och 15 V.

Små förpackningar med SOT23-6 eller TSNP-6.

Helt kvalificerad enligt JEDEC för

industriella tillämpningar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.