AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 2, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 221-6667
- Tillv. art.nr:
- NCV57201DR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
15 885,00 kr
(exkl. moms)
19 855,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,354 kr | 15 885,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 221-6667
- Tillv. art.nr:
- NCV57201DR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Utström | 1.9A | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | IGBT | |
| Stigtid | 13ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Utström 1.9A | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg IGBT | ||
Stigtid 13ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
The ON Semiconductor NCx57201 is a high voltage gate driver with one non−isolated low side gate driver and one galvanically isolated high or low side gate driver. It can directly drive two IGBTs in a half bridge configuration. It isolated high side driver can be powered with an isolated power supply or with bootstrap technique from the low side power supply. The galvanic isolation for the high side gate driver guarantees reliable switching in high power applications for IGBTs that operate up to 800 V, at high dv/dt.
Matched propagation delay 90 ns
Built−in 20 ns minimum pulse width filter
Non−inverting output signal
CMTI up to 100 kV/s
Reliable operation for VS negative swing to −800 V
Relaterade länkar
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 2, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 14 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 7 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 8 Ben 22 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 1, 6.5 A, 8 Ben 22 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 1, 6.5 A, 8 Ben 20 V, SOIC