AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 2, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 221-6667
- Tillv. art.nr:
- NCV57201DR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
15 885,00 kr
(exkl. moms)
19 855,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,354 kr | 15 885,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 221-6667
- Tillv. art.nr:
- NCV57201DR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Utström | 1.9A | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | IGBT | |
| Stigtid | 13ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Utström 1.9A | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg IGBT | ||
Stigtid 13ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
ON Semiconductor NCx57201 är en högspänningsgrinddrivare med en oisolerad låg-sidig grinddrivare och en galvaniskt isolerad hög- eller låg-sidig grinddrivare. Den kan direkt driva två IGBT:er i en halvbryggkonfiguration. Den isolerade High-Side-drivaren kan drivas med en isolerad strömförsörjning eller med bootstrap-teknik från Low-Side-nätaggregatet. Den galvaniska isoleringen för high-side-gate-drivaren garanterar tillförlitlig omkoppling i högeffektstillämpningar för IGBT som arbetar upp till 800 V, vid hög dv/dt.
Matchad propagationsfördröjning 90 ns
Inbyggt 20 ns minimalt pulsbreddsfilter
Icke-inverterande utgångssignal
CMTI upp till 100 kV/s
Tillförlitlig drift för VS negativ svängning till −800 V
Relaterade länkar
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 2, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 14 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 8 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 7 A, 8 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 1, 6.5 A, 8 Ben 20V, SOIC
- onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 8 Ben 20V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 8 Ben 22V, SOIC