AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 2, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 221-6668
- Tillv. art.nr:
- NCV57201DR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
55,66 kr
(exkl. moms)
69,575 kr
(inkl. moms)
Lägg till 45 enheter för att få fri frakt
I lager
- 2 470 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 11,132 kr | 55,66 kr |
| 50 - 95 | 9,588 kr | 47,94 kr |
| 100 - 495 | 8,31 kr | 41,55 kr |
| 500 - 995 | 7,302 kr | 36,51 kr |
| 1000 + | 6,988 kr | 34,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 221-6668
- Tillv. art.nr:
- NCV57201DR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Utström | 1.9A | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | IGBT | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Stigtid | 13ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4 mm | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Utström 1.9A | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg IGBT | ||
Antal utgångar 2 | ||
Stigtid 13ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4 mm | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
The ON Semiconductor NCx57201 is a high voltage gate driver with one non−isolated low side gate driver and one galvanically isolated high or low side gate driver. It can directly drive two IGBTs in a half bridge configuration. It isolated high side driver can be powered with an isolated power supply or with bootstrap technique from the low side power supply. The galvanic isolation for the high side gate driver guarantees reliable switching in high power applications for IGBTs that operate up to 800 V, at high dv/dt.
Matched propagation delay 90 ns
Built−in 20 ns minimum pulse width filter
Non−inverting output signal
CMTI up to 100 kV/s
Reliable operation for VS negative swing to −800 V