AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 221-6602
- Tillv. art.nr:
- NCD57201DR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
150,98 kr
(exkl. moms)
188,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 470 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,098 kr | 150,98 kr |
| 100 - 240 | 13,014 kr | 130,14 kr |
| 250 - 490 | 11,278 kr | 112,78 kr |
| 500 - 990 | 9,923 kr | 99,23 kr |
| 1000 + | 9,016 kr | 90,16 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 221-6602
- Tillv. art.nr:
- NCD57201DR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Utström | 1.9A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 8ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Typ av drivsteg | IGBT | |
| Stigtid | 13ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4 mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Utström 1.9A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 8ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal utgångar 2 | ||
Typ av drivsteg IGBT | ||
Stigtid 13ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4 mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
The ON Semiconductor NCx57201 is a high voltage gate driver with one non−isolated low side gate driver and one galvanic ally isolated high or low side gate driver. It ca directly drive two IGBTs in a half bridge configuration. It isolated high side driver can be powered with an isolated power supply or with bootstrap technique from the low side power supply.
Low output voltage drop for enhanced IGBT conduction
Floating channel for bootstrap operation up to +800 V
CMTI up to 100 kV/s
Reliable operation for VS negative swing to −800 V