AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 1, 6.5 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 221-6660
- Tillv. art.nr:
- NCV57080BDR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
118,38 kr
(exkl. moms)
147,975 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 23,676 kr | 118,38 kr |
| 50 - 95 | 20,406 kr | 102,03 kr |
| 100 - 495 | 17,696 kr | 88,48 kr |
| 500 - 995 | 15,568 kr | 77,84 kr |
| 1000 + | 14,156 kr | 70,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 221-6660
- Tillv. art.nr:
- NCV57080BDR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Utström | 6.5A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 13ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | IGBT | |
| Stigtid | 13ns | |
| Minsta matningsspänning | 22V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Serie | NCx57080y | |
| Längd | 5mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Utström 6.5A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 13ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg IGBT | ||
Stigtid 13ns | ||
Minsta matningsspänning 22V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.75mm | ||
Serie NCx57080y | ||
Längd 5mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
ON Semiconductor NCD57080B är högströms IGBT-grinddrivare med en kanal med 3,75 kVrms intern galvanisk isolation, utformad för hög systemeffektivitet och tillförlitlighet i högeffektstillämpningar. Enheten accepterar komplementär ingång och, beroende på stiftkonfigurationen, erbjuder alternativ som aktiv fräsklämma, negativ strömförsörjning och separat hög- och låg drivutgång för bekvämlig systemdesign.
Hög immunitet mot transienter
Hög elektromagnetisk immunitet
Korta propagationsfördröjningar med exakt matchning
Relaterade länkar
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 1, 6.5 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 14 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 8 Ben 22 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 1, 6.5 A, 8 Ben 22 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 7 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 2, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC