STMicroelectronics Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 650 mA, 8 Ben 17V, SO-8
- RS-artikelnummer:
- 152-016
- Tillv. art.nr:
- L6388ED013TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2500 enheter)*
33 097,50 kr
(exkl. moms)
41 372,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 13,239 kr | 33 097,50 kr |
| 5000 + | 13,076 kr | 32 690,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-016
- Tillv. art.nr:
- L6388ED013TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 650mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Falltid | 40ns | |
| Typ av drivsteg | Hög sida | |
| Stigtid | 70ns | |
| Minsta matningsspänning | 17V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 17V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -45°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | L6388ED013TR | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 650mA | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Falltid 40ns | ||
Typ av drivsteg Hög sida | ||
Stigtid 70ns | ||
Minsta matningsspänning 17V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 17V | ||
Minsta arbetsstemperatur -45°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie L6388ED013TR | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Typ av fäste Yta | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics högspännings grinddrivrutin, tillverkad med BCD offline-teknik, och kan driva en halv bro av effekt-MOSFET/IGBT-enheter. Den höga sidan (flytande) är aktiverad för att fungera med spänningsskena upp till 600 V. Båda enhetens utgångar kan sänka och källa 650 mA respektive 400 mA och kan inte drivas högt samtidigt tack vare en integrerad låsningsfunktion. Ytterligare förebyggande av korsledning från utgångar garanteras av den döda tidsfunktionen.
Inre bootstrap-diod
Utgångar i fas med ingångar
Dödtid och låsningsfunktion
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 650 mA, 8 Ben 17V, SO-8
- AEC-Q100 STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 1, 4 A, 8 Ben 26V, SO-8
- AEC-Q100 STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 1, 68 mA, 8 Ben 26V, SO-8W
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 5 A, 24 Ben 28 V, SO-24W
- Infineon Låg sida, Gate-drivarmodul 2, 3.3 A, 8 Ben 6V, SOIC-8
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 360 mA, 8 Ben 20V, SOIC-8
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 6 A, 16 Ben 5 V, SO-16
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 600 A, 8 Ben 20 V, SOIC
