STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 6 A, 16 Ben 5V, SO-16
- RS-artikelnummer:
- 233-0478
- Tillv. art.nr:
- STDRIVEG600TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
319,87 kr
(exkl. moms)
399,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 31,987 kr | 319,87 kr |
| 50 - 90 | 29,299 kr | 292,99 kr |
| 100 - 240 | 26,611 kr | 266,11 kr |
| 250 - 490 | 25,402 kr | 254,02 kr |
| 500 + | 24,752 kr | 247,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 233-0478
- Tillv. art.nr:
- STDRIVEG600TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 6A | |
| Antal ben | 16 | |
| Kapseltyp | SO-16 | |
| Falltid | 5ns | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Minsta matningsspänning | 3.3V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | STDRI | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 6A | ||
Antal ben 16 | ||
Kapseltyp SO-16 | ||
Falltid 5ns | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Minsta matningsspänning 3.3V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie STDRI | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics STDRIVEG600 är en gate-drivare med en halv brygga för GaN-FET-förstärkningsläge eller N-kanalig effekt-MOSFET. High-side-sektionen är utformad för att motstå en spänning på upp till 600 V och är lämplig för konstruktioner med busspänning på upp till 500 V. Enheten är utformad för att driva höghastighets-GaN- och Si FET-transistorer tack vare hög strömkapacitet, kort propagationsfördröjning och drift med matningsspänning ned till 5 V.
Låsningsfunktion
UVLO på låg- och högsidiga sektioner
Dedikerat stift för avstängningsfunktionalitet
Överhettningsskydd
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 6 A, 16 Ben 5 V, SO-16
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 5 A, 24 Ben 28 V, SO-24W
- STMicroelectronics MOSFET, Gate-drivare 2, 6 A, 16 Ben 21V, SO-16
- AEC-Q100 STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 1, 68 mA, 8 Ben 26V, SO-8W
- AEC-Q100 STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 1, 4 A, 8 Ben 26V, SO-8
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 1, 81.6 A, 16 Ben 4 V, PowerSSO-16
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 6 A, 16 Ben 25 V, PG-DSO-16
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul 6, 2.5 A, 16 Ben 20 V, SOIC