STMicroelectronics Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 650 mA, 8 Ben 17 V, SO-8
- RS-artikelnummer:
- 152-017
- Tillv. art.nr:
- L6388ED013TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 5 enheter)*
70,56 kr
(exkl. moms)
88,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 475 enhet(er) från den 25 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 14,112 kr | 70,56 kr |
| 50 - 95 | 13,396 kr | 66,98 kr |
| 100 - 495 | 12,41 kr | 62,05 kr |
| 500 - 995 | 11,424 kr | 57,12 kr |
| 1000 + | 11,02 kr | 55,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-017
- Tillv. art.nr:
- L6388ED013TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 650mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Falltid | 40ns | |
| Typ av drivsteg | Hög sida | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Stigtid | 70ns | |
| Minsta matningsspänning | 17V | |
| Maximal matningsspänning | 17V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -45°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | L6388ED013TR | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fästetyp | Yta | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 650mA | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Falltid 40ns | ||
Typ av drivsteg Hög sida | ||
Antal utgångar 2 | ||
Stigtid 70ns | ||
Minsta matningsspänning 17V | ||
Maximal matningsspänning 17V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur -45°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie L6388ED013TR | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fästetyp Yta | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics högspännings grinddrivrutin, tillverkad med BCD ”offline”-teknik, och kan driva en halv bro av effekt-MOSFET/IGBT-enheter. Den höga sidan (flytande) är aktiverad för att fungera med spänningsskena upp till 600 V. Båda enhetens utgångar kan sänka och källa 650 mA respektive 400 mA och kan inte drivas högt samtidigt tack vare en integrerad låsningsfunktion. Ytterligare förebyggande av korsledning från utgångar garanteras av den döda tidsfunktionen.
Inre bootstrap-diod
Utgångar i fas med ingångar
Dödtid och låsningsfunktion