Infineon AEC-Q100 FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 3000 ns, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 181-7555
- Tillv. art.nr:
- CY15B064J-SXE
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
80,64 kr
(exkl. moms)
100,80 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 40,32 kr | 80,64 kr |
| 20 - 48 | 32,48 kr | 64,96 kr |
| 50 - 98 | 31,92 kr | 63,84 kr |
| 100 - 198 | 31,81 kr | 63,62 kr |
| 200 + | 28,335 kr | 56,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 181-7555
- Tillv. art.nr:
- CY15B064J-SXE
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Minnesstorlek | 64kB | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 3000ns | |
| Maximal klockfrekvens | 1MHz | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal ben | 8 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.8mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Minsta matningsspänning | 2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Antal ord | 8K | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp FRAM | ||
Minnesstorlek 64kB | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 3000ns | ||
Maximal klockfrekvens 1MHz | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal ben 8 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.8mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Minsta matningsspänning 2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Antal ord 8K | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
- COO (ursprungsland):
- US
64-Kbit ferro electric random access memory (F-RAM) logically organized as 8K x 8
High-endurance 10 trillion (1013) read/writes
121-year data retention (See the Data Retention and Endurance table)
No Delay™ writes
Advanced high-reliability ferro electric process
Fast 2-wire Serial interface (I2C)
Up to 1-MHz frequency
Direct hardware replacement for serial (I2C) EEPROM
Supports legacy timings for 100 kHz and 400 kHz
Low power consumption
120 A (typ) active current at 100 kHz
6 A (typ) standby current
Voltage operation: VDD = 3.0 V to 3.6 V
Automotive-E temperature: –40 C to +125 C
8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q100 FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 3000 ns, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 25 ns, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 3000 ns, 85 °C, -40 °C, 14 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 klass 1, I2S FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- Infineon, SPI FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 20 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, DFN
- Infineon AEC-Q100 FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 550 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 20 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon, Parallell FRAM 64 kB, 8k x 8 bit, 70 ns, 85 °C, -40 °C, 28 Ben, SOIC-28