Infineon, SPI FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 20 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, DFN

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

73,92 kr

(exkl. moms)

92,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 166 enhet(er) från den 27 juli 2026
  • Dessutom levereras 1 620 enhet(er) från den 17 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 836,96 kr73,92 kr
10 - 4831,975 kr63,95 kr
50 - 9831,135 kr62,27 kr
100 - 49827,89 kr55,78 kr
500 +26,655 kr53,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
125-4221
Tillv. art.nr:
FM25CL64B-DG
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Minnesstorlek

64kB

Produkttyp

FRAM

Organisation

8K x 8 bit

Gränssnittstyp

SPI

Databussbredd

8bit

Maximal slumpmässig åtkomsttid

20ns

Typ av fäste

Yta

Maximal klockfrekvens

20MHz

Kapseltyp

DFN

Antal ben

8

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.75mm

Bredd

4mm

Längd

4.5mm

Maximal arbetstemperatur

85°C

Antal ord

8K

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Antal bitar per ord

8

Fordonsstandard

Nej

Maximal matningsspänning

3.65V

Minsta matningsspänning

2.7V

FRAM, Cypress-halvledare


Ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst (F-RAM) är energieffektivt och har den högsta tillförlitligheten bland icke-flyktiga RAM-minnen för både seriella och parallella gränssnitt. Delar med suffix A är utformade för fordonstillämpningar och är AEC-Q100-kvalificerade.

Icke-flyktigt ferroelektriskt RAM-minne

Snabb skrivhastighet

Hög uthållighet

Låg strömförbrukning

FRAM (ferroelektriskt RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) är ett icke-flyktigt minne som använder ferroelektrisk film som kondensator för lagring av data. F-RAM har egenskaper för både ROM- och RAM-enheter och har höghastighetsåtkomst, hög uthållighet i skrivläge, låg strömförbrukning, icke-flyktighet och utmärkt sabotagebeständighet. Det är därför ett perfekt minne för användning i smartkort som behöver hög säkerhet och låg strömförbrukning, samt mobiltelefoner och andra enheter.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.