Infineon, Parallell FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 70 ns, 85 °C, -40 °C, 28 Ben, SOIC-28
- RS-artikelnummer:
- 273-7375
- Tillv. art.nr:
- FM16W08-SG
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
59,81 kr
(exkl. moms)
74,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 512 enhet(er) levereras från den 03 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 59,81 kr |
| 5 - 9 | 58,58 kr |
| 10 - 99 | 53,54 kr |
| 100 - 249 | 48,16 kr |
| 250 + | 45,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7375
- Tillv. art.nr:
- FM16W08-SG
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 64kB | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Gränssnittstyp | Parallell | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 70ns | |
| Kapseltyp | SOIC-28 | |
| Antal ben | 28 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal matningsspänning | 5.5V | |
| Antal ord | 8K | |
| Minsta matningsspänning | 2.7V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 64kB | ||
Produkttyp FRAM | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Gränssnittstyp Parallell | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 70ns | ||
Kapseltyp SOIC-28 | ||
Antal ben 28 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal matningsspänning 5.5V | ||
Antal ord 8K | ||
Minsta matningsspänning 2.7V | ||
Infineons FRAM är ett 8 K x 8 icke-flyktigt minne som läser och skriver på liknande sätt som ett standard-SRAM. Ett ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst eller FRAM är icke-flyktigt, vilket innebär att data bevaras efter att strömmen har tagits bort. Det ger datalagring i över 151 år samtidigt som det eliminerar tillförlitlighetsproblemen, funktionella nackdelar och systemdesignkomplexiteter hos batteridrivet SRAM. Snabb skrivtid och hög skrivuthållighet gör FRAM överlägset andra typer av minne. Dess funktion liknar den för andra RAM-enheter och kan därför användas som ersättning för ett standard-SRAM i ett system. Minsta läs- och skrivcykeltider är lika. FRAM-minnet är icke-flyktigt på grund av sin unika ferroelektriska minnesprocess.
Låg strömförbrukning
Kompatibel med SRAM och EEPROM
Hög hållbarhet 100 biljoner läs- och skrivfunktioner
Avancerad ferroelektrisk process med hög tillförlitlighet
Överlägsen för fukt och stötar med vibrationer
Relaterade länkar
- Infineon, Parallell FRAM 64 kB, 8k x 8 bit, 70 ns, 85 °C, -40 °C, 28 Ben, SOIC-28
- Infineon AEC-Q100, Parallell FRAM 256 kB, 32K x 8 Bit, 70 ns, 85 °C, -40 °C, 28 Ben, SOIC
- Infineon, SPI FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 20 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, DFN
- Infineon AEC-Q100 FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 3000 ns, 85 °C, -40 °C, 14 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 3000 ns, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 550 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 20 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 25 ns, 125 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC