Renesas Electronics SRAM, 4 MB, TSOP 44 Ben

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 135 enheter)*

7 333,605 kr

(exkl. moms)

9 167,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
135 - 13554,323 kr7 333,61 kr
270 +52,584 kr7 098,84 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
250-0189
Tillv. art.nr:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Tillverkare / varumärke:
Renesas Electronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Renesas Electronics

Minnesstorlek

4MB

Produkttyp

SRAM

Organisation

256k x 16

Antal ord

256K

Antal bitar per ord

16

Maximal slumpmässig åtkomsttid

45ns

Minsta matningsspänning

2.7V

Fästetyp

Yta

Maximal matningsspänning

3.6V

Kapseltyp

TSOP

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Antal ben

44

Serie

RMLV0416E

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

18.41mm

Höjd

1mm

Bredd

10.16 mm

Matningsström

10mA

Fordonsstandard

Nej

4Mb Advanced LPSRAM (256-kword x 16-bit)


The RMLV0416E Series is a family of 4-Mbit static RAMs organized 262, 144-word x 16-bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0416E Series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The RMLV0416E Series offers low power standby power dissipation;therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 44-pin TSOP (II) or 48-ball fine pitch ball grid array.

Key features


  • Single 3V supply: 2.7V to 3.6V

  • Access time: 45ns (max.)

  • Current consumption: Standby: 0.3μA (typ.)

  • Equal access and cycle times

  • Common data input and output Three state output

  • Directly TTL compatible All inputs and outputs

  • Battery backup operation

  • Relaterade länkar