ISSI SRAM, 1 MB, TSOP 44 Ben

Antal (1 fack med 135 enheter)*

2 948,535 kr

(exkl. moms)

3 685,635 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
135 +21,841 kr2 948,54 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
170-2186
Tillv. art.nr:
IS61WV6416DBLL-10TLI
Tillverkare / varumärke:
ISSI
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ISSI

Produkttyp

SRAM

Minnesstorlek

1MB

Antal ord

64K

Antal bitar per ord

16

Maximal slumpmässig åtkomsttid

10ns

Adressbussbredd

16bit

Minsta matningsspänning

2.4V

Tidsinställningstyp

Asynkron

Maximal matningsspänning

3.6V

Typ av fäste

Yta

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Kapseltyp

TSOP

Antal ben

44

Maximal arbetstemperatur

85°C

Längd

18.54mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

IS61WV6416DBLL

Höjd

1.05mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Statiskt RAM-minne, ISSI


Anoden ISSI Statiska RAM-produkter använder högpresterande CMOS-teknik. Det finns ett brett utbud av statiska RAM-minnen som inkluderar 5V asynkrona SRAM med hög hastighet, asynkrona SRAM med hög hastighet och låg effekt, asynkrona SRAM med 5V låg effekt, CMOS statiska RAM-minnen med ultralåg effekt och PowerSaverTM asynkrona SRAM med lägre effekt. ISSI SRAM-enheterna finns i en mängd olika spänningar, minnesstorlekar och olika organisationer. De är lämpliga i applikationer som CPU-cacheminne, inbäddade processorer, hårddiskar och switchar till industriell elektronik.

Strömförsörjning: 1.8V/3,3V/5V

Tillgängliga förpackningar: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP

Konfigurationsalternativ tillgängliga: x8 och x16

ECC-funktion tillgänglig för asynkrona SRAM med hög hastighet

SRAM (Static Random Access Memory)


Relaterade länkar