ISSI SRAM, 2 MB, TSOP 44 Ben

Antal (1 fack med 135 enheter)*

6 885,945 kr

(exkl. moms)

8 607,465 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
135 +51,007 kr6 885,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
170-2051
Tillv. art.nr:
IS61WV12816BLL-12TLI
Tillverkare / varumärke:
ISSI
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ISSI

Minnesstorlek

2MB

Produkttyp

SRAM

Antal ord

128k

Antal bitar per ord

16

Maximal slumpmässig åtkomsttid

12ns

Adressbussbredd

17bit

Tidsinställningstyp

Asynkron

Minsta matningsspänning

2.97V

Typ av fäste

Yta

Maximal matningsspänning

3.63V

Kapseltyp

TSOP

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Antal ben

44

Maximal arbetstemperatur

85°C

Standarder/godkännanden

No

Serie

IS61WV12816BLL

Längd

18.52mm

Höjd

1.05mm

Matningsström

40mA

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TW

Statiskt RAM-minne, ISSI


Anoden ISSI Statiska RAM-produkter använder högpresterande CMOS-teknik. Det finns ett brett utbud av statiska RAM-minnen som inkluderar 5V asynkrona SRAM med hög hastighet, asynkrona SRAM med hög hastighet och låg effekt, asynkrona SRAM med 5V låg effekt, CMOS statiska RAM-minnen med ultralåg effekt och PowerSaverTM asynkrona SRAM med lägre effekt. ISSI SRAM-enheterna finns i en mängd olika spänningar, minnesstorlekar och olika organisationer. De är lämpliga i applikationer som CPU-cacheminne, inbäddade processorer, hårddiskar och switchar till industriell elektronik.

Strömförsörjning: 1.8V/3,3V/5V

Tillgängliga förpackningar: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP

Konfigurationsalternativ tillgängliga: x8 och x16

ECC-funktion tillgänglig för asynkrona SRAM med hög hastighet

SRAM (Static Random Access Memory)


Relaterade länkar