Infineon AEC-Q100 klass 2 och 3, SDRAM, 64 MB, Yta 8 bit, 105 °C, -40 °C, 24 Ben, FBGA-24 Boll

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

35,50 kr

(exkl. moms)

44,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 311 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 935,50 kr
10 - 2428,11 kr
25 - 4927,55 kr
50 - 9926,77 kr
100 +26,32 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7513
Tillv. art.nr:
S27KL0642DPBHI020
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Minnesstorlek

64MB

Produkttyp

SDRAM

Databussbredd

8bit

Maximal klockfrekvens

200MHz

Antal bitar per ord

16

Fästetyp

Yta

Kapseltyp

FBGA-24 Boll

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Antal ben

24

Maximal arbetstemperatur

105°C

Längd

6mm

Bredd

8 mm

Höjd

1mm

Serie

S27K

Standarder/godkännanden

No

Minsta matningsspänning

1.8V

Fordonsstandard

AEC-Q100 klass 2 och 3

Maximal matningsspänning

3.6V

Matningsström

360μA

The Infineon DRAM is a high speed CMOS, self refresh DRAM, with HYPERBUS interface. The DRAM array uses dynamic cells that require periodic refresh. Refresh control logic within the device manages the refresh operations on the DRAM array when the memory is not being actively read or written by the HYPERBUS interface master. Since the host is not required to manage any refresh operations, the DRAM array appears to the host as though the memory uses static cells that retain data without refresh. Hence, the memory is more accurately described as Pseudo Static RAM.

200 MHz maximum clock rate

Data throughput up to 400 MBps

Bidirectional read write data strobe

Automotive AEC Q100 Grade 2 and 3

Optional DDR centre aligned read strobe

DDR transfers data on both edges of the clock