Infineon AEC-Q100 klass 2 och 3, SDRAM, 64 MB, Yta 8 bit, 105 °C, -40 °C, 24 Ben, FBGA-24 Boll
- RS-artikelnummer:
- 273-7513
- Tillv. art.nr:
- S27KL0642DPBHI020
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
35,50 kr
(exkl. moms)
44,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 311 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 35,50 kr |
| 10 - 24 | 28,11 kr |
| 25 - 49 | 27,55 kr |
| 50 - 99 | 26,77 kr |
| 100 + | 26,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7513
- Tillv. art.nr:
- S27KL0642DPBHI020
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 64MB | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal klockfrekvens | 200MHz | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kapseltyp | FBGA-24 Boll | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal ben | 24 | |
| Maximal arbetstemperatur | 105°C | |
| Längd | 6mm | |
| Bredd | 8 mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Serie | S27K | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Minsta matningsspänning | 1.8V | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 klass 2 och 3 | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Matningsström | 360μA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 64MB | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal klockfrekvens 200MHz | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Fästetyp Yta | ||
Kapseltyp FBGA-24 Boll | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal ben 24 | ||
Maximal arbetstemperatur 105°C | ||
Längd 6mm | ||
Bredd 8 mm | ||
Höjd 1mm | ||
Serie S27K | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Minsta matningsspänning 1.8V | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 klass 2 och 3 | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Matningsström 360μA | ||
The Infineon DRAM is a high speed CMOS, self refresh DRAM, with HYPERBUS interface. The DRAM array uses dynamic cells that require periodic refresh. Refresh control logic within the device manages the refresh operations on the DRAM array when the memory is not being actively read or written by the HYPERBUS interface master. Since the host is not required to manage any refresh operations, the DRAM array appears to the host as though the memory uses static cells that retain data without refresh. Hence, the memory is more accurately described as Pseudo Static RAM.
200 MHz maximum clock rate
Data throughput up to 400 MBps
Bidirectional read write data strobe
Automotive AEC Q100 Grade 2 and 3
Optional DDR centre aligned read strobe
DDR transfers data on both edges of the clock
