Infineon AEC-Q100 klass 2 och 3, SDRAM, 64 MB, Yta 8 bit, 105 °C, -40 °C, 24 Ben, FBGA-24 Boll

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 338 enheter)*

10 357,334 kr

(exkl. moms)

12 946,752 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
338 - 67630,643 kr10 357,33 kr
1014 +29,441 kr9 951,06 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7512
Tillv. art.nr:
S27KL0642DPBHI020
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Minnesstorlek

64MB

Produkttyp

SDRAM

Databussbredd

8bit

Maximal klockfrekvens

200MHz

Antal bitar per ord

16

Typ av fäste

Yta

Kapseltyp

FBGA-24 Boll

Antal ben

24

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

105°C

Serie

S27K

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1mm

Längd

6mm

Fordonsstandard

AEC-Q100 klass 2 och 3

Matningsström

360μA

Minsta matningsspänning

1.8V

Maximal matningsspänning

3.6V

The Infineon DRAM is a high speed CMOS, self refresh DRAM, with HYPERBUS interface. The DRAM array uses dynamic cells that require periodic refresh. Refresh control logic within the device manages the refresh operations on the DRAM array when the memory is not being actively read or written by the HYPERBUS interface master. Since the host is not required to manage any refresh operations, the DRAM array appears to the host as though the memory uses static cells that retain data without refresh. Hence, the memory is more accurately described as Pseudo Static RAM.

200 MHz maximum clock rate

Data throughput up to 400 MBps

Bidirectional read write data strobe

Automotive AEC Q100 Grade 2 and 3

Optional DDR centre aligned read strobe

DDR transfers data on both edges of the clock

Relaterade länkar