Infineon SRAM, 128 MB, FBGA-24 Boll
- RS-artikelnummer:
- 273-5438
- Tillv. art.nr:
- S70KL1282GABHV020
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
56,00 kr
(exkl. moms)
70,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Begränsat lager
- 1 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 56,00 kr |
| 10 - 24 | 51,63 kr |
| 25 - 49 | 49,62 kr |
| 50 - 99 | 48,61 kr |
| 100 + | 45,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5438
- Tillv. art.nr:
- S70KL1282GABHV020
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | SRAM | |
| Minnesstorlek | 128MB | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 35ns | |
| Maximal klockfrekvens | 200MHz | |
| Tidsinställningstyp | DDR | |
| Minsta matningsspänning | 1.8V | |
| Maximal matningsspänning | 3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Kapseltyp | FBGA-24 Boll | |
| Maximal arbetstemperatur | 105°C | |
| Serie | HYPERRAM | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp SRAM | ||
Minnesstorlek 128MB | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 35ns | ||
Maximal klockfrekvens 200MHz | ||
Tidsinställningstyp DDR | ||
Minsta matningsspänning 1.8V | ||
Maximal matningsspänning 3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Kapseltyp FBGA-24 Boll | ||
Maximal arbetstemperatur 105°C | ||
Serie HYPERRAM | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
The Infineon DRAM is a high speed CMOS self refresh DRAM, with HYPERBUS™ interface. The DRAM array uses dynamic cells that require periodic refresh. Refresh control logic within the device manages the refresh operations on the DRAM array when the memory is not being actively read or written by the HYPERBUS™ interface master. Since the host is not required to manage any refresh operations, the DRAM array appears to the host as though the memory uses static cells that retain data without refresh. Hence, the memory is more accurately described as pseudo static RAM.
HYPERBUS™ interface
200 MHz maximum clock rate
Configurable burst characteristics
Data throughput up to 400 MBps
Bidirectional read write data strobe
Optional DDR centre aligned read strobe
