Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 512 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- RS-artikelnummer:
- 588-664
- Tillv. art.nr:
- IME5116SDBETG-75
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Antal (1 enhet)*
86,69 kr
(exkl. moms)
108,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 108 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 86,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 588-664
- Tillv. art.nr:
- IME5116SDBETG-75
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Intelligent Memory | |
| Minnesstorlek | 512MB | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Organisation | 32M x 16 | |
| Databussbredd | 16bit | |
| Antal bitar per ord | 72 | |
| Maximal klockfrekvens | 166MHz | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 7.5ns | |
| Antal ord | 16777216 Words | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kapseltyp | FBGA | |
| Antal ben | 54 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Serie | IME51(08/16)SDBET | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Matningsström | 170mA | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Intelligent Memory | ||
Minnesstorlek 512MB | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Organisation 32M x 16 | ||
Databussbredd 16bit | ||
Antal bitar per ord 72 | ||
Maximal klockfrekvens 166MHz | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 7.5ns | ||
Antal ord 16777216 Words | ||
Fästetyp Yta | ||
Kapseltyp FBGA | ||
Antal ben 54 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Serie IME51(08/16)SDBET | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Matningsström 170mA | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
The Intelligent Memory Four bank Synchronous DRAM is organized as 4 banks x 16Mbit x 8 (5108) or 4 banks x 8Mbit x 16 (5116). It achieves high-speed data transfer rates up to 166 MHz by employing a chip architecture that prefetches multiple bits and synchronizes the output data to the system clock, ensuring efficient and reliable performance.
Power down mode
Auto refresh and self refresh
Automatic and controlled precharge command
Relaterade länkar
- Intelligent Memory AEC-Q100 512 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory 64 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 128 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Alliance Memory 512 MB 95 °C 96 Ben, FBGA
- Alliance Memory 512 MB 95 °C 96 Ben, FBGA-96 Boll
- Alliance Memory 512 MB 95 °C 78 Ben, FBGA-78 Boll