Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 512 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- RS-artikelnummer:
- 588-663
- Tillv. art.nr:
- IME5108SDBETG-75I
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Antal (1 enhet)*
93,41 kr
(exkl. moms)
116,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 9 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 93,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 588-663
- Tillv. art.nr:
- IME5108SDBETG-75I
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Intelligent Memory | |
| Minnesstorlek | 512MB | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Databussbredd | 16bit | |
| Maximal klockfrekvens | 166MHz | |
| Antal bitar per ord | 64 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 6ns | |
| Antal ord | 16777216 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | FBGA | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal ben | 54 | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Serie | IME51 | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Matningsström | 170mA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Intelligent Memory | ||
Minnesstorlek 512MB | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Databussbredd 16bit | ||
Maximal klockfrekvens 166MHz | ||
Antal bitar per ord 64 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 6ns | ||
Antal ord 16777216 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp FBGA | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal ben 54 | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Serie IME51 | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Matningsström 170mA | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
The Intelligent Memory Four bank Synchronous DRAM is organized as 4 banks x 16Mbit x 8 (5108) or 4 banks x 8Mbit x 16 (5116). It achieves high-speed data transfer rates up to 166 MHz by using a chip architecture that prefetches multiple bits and synchronizes the output data to the system clock, ensuring fast and reliable operation.
Power down mode
Auto refresh and self refresh
Automatic and controlled precharge command
Relaterade länkar
- Intelligent Memory AEC-Q100 512 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory 64 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 128 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Alliance Memory 512 MB 95 °C 96 Ben, FBGA
- Alliance Memory 512 MB 95 °C 96 Ben, FBGA-96 Boll
- Alliance Memory 512 MB 95 °C 96 Ben, FBGA-96 Boll
