Infineon RF-switchkrets, 10 Ben ATSLP

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

143,805 kr

(exkl. moms)

179,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 140 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 - 159,587 kr143,81 kr
30 - 758,796 kr131,94 kr
90 - 2258,109 kr121,64 kr
240 - 4657,527 kr112,91 kr
480 +7,317 kr109,76 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4790
Tillv. art.nr:
BGSX22G5A10E6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Teknologi

MOS-teknik

Produkttyp

RF-switchkrets

Kapseltyp

ATSLP

Antal ben

10

Fästetyp

Yta

Gränssnittstyp

GPIO

Driftband 1 Frekvens

0.1GHz

Minsta matningsspänning

1.65V

Driftband 2 Frekvens

6GHz

Maximal matningsspänning

3.6V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Serie

BGSX 22G 5A 10

Höjd

0.55mm

Längd

1.5mm

Bredd

1.1 mm

Standarder/godkännanden

RoHS and WEEE

Antal driftsband

2

Fordonsstandard

Nej

The Infineon BGSX22G5A10 RF MOS switch is specifically designed for LTE and WCDMA multi antenna applications. This DPDT offers low insertion loss and low harmonic generation paired with high isolation between RF ports. The switch is controlled via a GPIO interface. The on-chip controller allows power-supply voltages from 1.65V to 3.4V.

RF CMOS DPDT antenna cross switch with power handling capability of up to 37 dBm

Ultra-low insertion loss and harmonics generation

0.1 to 6.0 GHz coverage

High port-to-port-isolation

No decoupling capacitors required if no DC applied on RF lines

General Purpose Input-Output (GPIO) Interface

Small form factor 1.1mm x 1.5mm

No power supply blocking required

Relaterade länkar