Infineon RF-switchkrets, 10 Ben TSNP

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

48,16 kr

(exkl. moms)

60,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 7 260 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 104,816 kr48,16 kr
20 - 904,547 kr45,47 kr
100 - 2404,435 kr44,35 kr
250 - 4904,312 kr43,12 kr
500 +4,211 kr42,11 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4786
Tillv. art.nr:
BGSA11GN10E6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

RF-switchkrets

Teknologi

CMOS

Kapseltyp

TSNP

Antal ben

10

Typ av fäste

Yta

Gränssnittstyp

GPIO

Driftband 1 Frekvens

0.1GHz

Minsta matningsspänning

1.65V

Maximal matningsspänning

3.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.375mm

Serie

BGSA11GN10

Standarder/godkännanden

RoHS/WEEE

Längd

1.5mm

Antal driftsband

1

Fordonsstandard

Nej

The Infineon BGSA11GN10 is a Dual Single Pole Single Throw (SPST) RF antenna tuning switch optimized for low RON enabling applications up to 6.0 GHz. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, single-pin CMOS or TTL compatible control input signal. Unlike GaAs technology, the 0.1 dB compression point exceeds the switch maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels and external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally.

High-linearity Dual SPST for antenna tuning switching applications

Ultra-Low RON of 0.79 Ω in ON state for each SPST, 0.38 Ω using both SPST in parallel

Ultra-Low COFF of 250 fF in OFF state

High max RF voltage OFF state handling: 36 V peak (72 Vp-p)

Low harmonic generation

Relaterade länkar