Infineon RF-switchkrets, 10 Ben ATSLP
- RS-artikelnummer:
- 222-4789
- Tillv. art.nr:
- BGSX22G5A10E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4500 enheter)*
14 634,00 kr
(exkl. moms)
18 292,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4500 + | 3,252 kr | 14 634,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4789
- Tillv. art.nr:
- BGSX22G5A10E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | RF-switchkrets | |
| Teknologi | MOS-teknik | |
| Kapseltyp | ATSLP | |
| Antal ben | 10 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Gränssnittstyp | GPIO | |
| Driftband 1 Frekvens | 0.1GHz | |
| Driftband 2 Frekvens | 6GHz | |
| Minsta matningsspänning | 1.65V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS and WEEE | |
| Bredd | 1.1mm | |
| Serie | BGSX 22G 5A 10 | |
| Längd | 1.5mm | |
| Höjd | 0.55mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Antal driftsband | 2 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp RF-switchkrets | ||
Teknologi MOS-teknik | ||
Kapseltyp ATSLP | ||
Antal ben 10 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Gränssnittstyp GPIO | ||
Driftband 1 Frekvens 0.1GHz | ||
Driftband 2 Frekvens 6GHz | ||
Minsta matningsspänning 1.65V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS and WEEE | ||
Bredd 1.1mm | ||
Serie BGSX 22G 5A 10 | ||
Längd 1.5mm | ||
Höjd 0.55mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Antal driftsband 2 | ||
Infineons BGSX22G5A10 RF MOS-switch är speciellt utformad för LTE- och WCDMA-tillämpningar med flera antenner. Denna DPDT erbjuder låg insättningsförlust och låg harmonisk generation i kombination med hög isolation mellan RF-portar. Switchen styrs via ett GPIO-gränssnitt. Styrenheten på kretskortet möjliggör strömförsörjningsspänningar från 1,65 V till 3,4 V.
RF CMOS DPDT-antennkorsswitch med effekthanteringskapacitet på upp till 37 dBm
Ultralåg insättningsförlust och harmonisk generering
0,1 till 6,0 GHz täckning
Hög port-till-port-isolering
Inga avkopplingskondensatorer krävs om ingen DC appliceras på RF-ledningar
GPIO-gränssnitt (General Purpose Input-Output)
Liten formfaktor 1,1 mm x 1,5 mm
Ingen blockering av strömförsörjning krävs