Infineon RF-switchkrets, 10 Ben ATSLP
- RS-artikelnummer:
- 222-4789
- Tillv. art.nr:
- BGSX22G5A10E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4500 enheter)*
12 388,50 kr
(exkl. moms)
15 484,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4500 + | 2,753 kr | 12 388,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4789
- Tillv. art.nr:
- BGSX22G5A10E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Teknologi | MOS-teknik | |
| Produkttyp | RF-switchkrets | |
| Kapseltyp | ATSLP | |
| Antal ben | 10 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Gränssnittstyp | GPIO | |
| Driftband 1 Frekvens | 0.1GHz | |
| Minsta matningsspänning | 1.65V | |
| Driftband 2 Frekvens | 6GHz | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS and WEEE | |
| Serie | BGSX 22G 5A 10 | |
| Höjd | 0.55mm | |
| Bredd | 1.1 mm | |
| Längd | 1.5mm | |
| Antal driftsband | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Teknologi MOS-teknik | ||
Produkttyp RF-switchkrets | ||
Kapseltyp ATSLP | ||
Antal ben 10 | ||
Fästetyp Yta | ||
Gränssnittstyp GPIO | ||
Driftband 1 Frekvens 0.1GHz | ||
Minsta matningsspänning 1.65V | ||
Driftband 2 Frekvens 6GHz | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS and WEEE | ||
Serie BGSX 22G 5A 10 | ||
Höjd 0.55mm | ||
Bredd 1.1 mm | ||
Längd 1.5mm | ||
Antal driftsband 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon BGSX22G5A10 RF MOS switch is specifically designed for LTE and WCDMA multi antenna applications. This DPDT offers low insertion loss and low harmonic generation paired with high isolation between RF ports. The switch is controlled via a GPIO interface. The on-chip controller allows power-supply voltages from 1.65V to 3.4V.
RF CMOS DPDT antenna cross switch with power handling capability of up to 37 dBm
Ultra-low insertion loss and harmonics generation
0.1 to 6.0 GHz coverage
High port-to-port-isolation
No decoupling capacitors required if no DC applied on RF lines
General Purpose Input-Output (GPIO) Interface
Small form factor 1.1mm x 1.5mm
No power supply blocking required