Infineon RF-switchkrets, 10 Ben TSNP
- RS-artikelnummer:
- 222-4779
- Tillv. art.nr:
- BGS14PN10E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 7500 enheter)*
23 182,50 kr
(exkl. moms)
28 980,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 7 500 enhet(er) från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 7500 + | 3,091 kr | 23 182,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4779
- Tillv. art.nr:
- BGS14PN10E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Teknologi | RF | |
| Produkttyp | RF-switchkrets | |
| Moduleringsteknik | QAM | |
| Kapseltyp | TSNP | |
| Antal ben | 10 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Driftband 1 Frekvens | 0.5GHz | |
| Minsta matningsspänning | 1.8V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Längd | 1.1mm | |
| Höjd | 0.38mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS and WEEE | |
| Serie | BGS14PN10 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Antal driftsband | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Teknologi RF | ||
Produkttyp RF-switchkrets | ||
Moduleringsteknik QAM | ||
Kapseltyp TSNP | ||
Antal ben 10 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Driftband 1 Frekvens 0.5GHz | ||
Minsta matningsspänning 1.8V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Längd 1.1mm | ||
Höjd 0.38mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS and WEEE | ||
Serie BGS14PN10 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Antal driftsband 1 | ||
The Infineon BGS14PN10 is a Single Pole Quad Throw (SP4T) high linearity, high power RF switch optimized for mobile phone applications up to 6.0 GHz. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a two simple, CMOS or TTL compatible control input signals. Unlike GaAs technology, the 0.1 dB compression point exceeds the switch maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels and external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally.
No DC decoupling components required, if no external DC is
applied on RF ports
High ESD robustness
Low harmonic generation
High linearity
