Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 13.6 dB, 6 Ben 960 MHz, TSNP-6-2
- RS-artikelnummer:
- 273-5225
- Tillv. art.nr:
- BGA7L1BN6E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 15000 enheter)*
38 265,00 kr
(exkl. moms)
47 835,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 15000 + | 2,551 kr | 38 265,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5225
- Tillv. art.nr:
- BGA7L1BN6E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | RF-förstärkare | |
| Förstärkartyp | Låg ljudnivå | |
| Teknologi | Kisel Germanium | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Förstärkning | 13.6dB | |
| Minsta matningsspänning | 1.5V | |
| Kapseltyp | TSNP-6-2 | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Brusbild | 0.75dB | |
| Tredje ordningens avlyssning OIP3 | 5dBm | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Höjd | 0.37mm | |
| Längd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Serie | BGA7L1BN6 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp RF-förstärkare | ||
Förstärkartyp Låg ljudnivå | ||
Teknologi Kisel Germanium | ||
Typ av fäste Yta | ||
Förstärkning 13.6dB | ||
Minsta matningsspänning 1.5V | ||
Kapseltyp TSNP-6-2 | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Brusbild 0.75dB | ||
Tredje ordningens avlyssning OIP3 5dBm | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Höjd 0.37mm | ||
Längd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Serie BGA7L1BN6 | ||
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 716 MHz to 960 MHz. The LNA provides 13.6 dB gain and 0. 75 dB noise figure at a current consumption of 4.9 mA. This RF amplifier is base on Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.6 V supply voltage. The device features a single line two state control and OFF state can be enabled by powering down Vcc.
Pb free package
RoHS compliant
Low noise figure
Digitally on off switch
Low current consumption
Only 1 external SMD component necessary