Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 13.6 dB, 6 Ben 960 MHz, TSNP-6-2

Antal (1 rulle med 15000 enheter)*

38 265,00 kr

(exkl. moms)

47 835,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
15000 +2,551 kr38 265,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5225
Tillv. art.nr:
BGA7L1BN6E6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

RF-förstärkare

Förstärkartyp

Låg ljudnivå

Teknologi

Kisel Germanium

Förstärkning

13.6dB

Typ av fäste

Yta

Kapseltyp

TSNP-6-2

Minsta matningsspänning

1.5V

Antal ben

6

Maximal matningsspänning

3.6V

Brusbild

0.75dB

Tredje ordningens avlyssning OIP3

5dBm

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Längd

1.1mm

Höjd

0.37mm

Fordonsstandard

Nej

Serie

BGA7L1BN6

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 716 MHz to 960 MHz. The LNA provides 13.6 dB gain and 0. 75 dB noise figure at a current consumption of 4.9 mA. This RF amplifier is base on Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.6 V supply voltage. The device features a single line two state control and OFF state can be enabled by powering down Vcc.

Pb free package

RoHS compliant

Low noise figure

Digitally on off switch

Low current consumption

Only 1 external SMD component necessary

Relaterade länkar