Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 13.6 dB, 6 Ben 960MHz, TSNP-6-2
- RS-artikelnummer:
- 273-5226
- Tillv. art.nr:
- BGA7L1BN6E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 1000 till för att spara 941,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
44,35 kr
(exkl. moms)
55,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 990 | 4,435 kr | 44,35 kr | - |
| 1000 - 1990 | 3,494 kr | 34,94 kr | 941,00 kr |
| 2000 - 4990 | 3,427 kr | 34,27 kr | 2 016,00 kr |
| 5000 - 9990 | 3,349 kr | 33,49 kr | 5 430,00 kr |
| 10000 + | 3,293 kr | 32,93 kr | 11 420,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5226
- Tillv. art.nr:
- BGA7L1BN6E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Arbetsfrekvens | 960MHz | |
| Produkttyp | RF-förstärkare | |
| Förstärkartyp | Låg ljudnivå | |
| Teknologi | Kisel Germanium | |
| Förstärkning | 13.6dB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | TSNP-6-2 | |
| Minsta matningsspänning | 1.5V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Antal ben | 6 | |
| Brusbild | 0.75dB | |
| Tredje ordningens avlyssning OIP3 | 5dBm | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Höjd | 0.37mm | |
| Bredd | 0.7mm | |
| Längd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Serie | BGA7L1BN6 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Arbetsfrekvens 960MHz | ||
Produkttyp RF-förstärkare | ||
Förstärkartyp Låg ljudnivå | ||
Teknologi Kisel Germanium | ||
Förstärkning 13.6dB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp TSNP-6-2 | ||
Minsta matningsspänning 1.5V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Antal ben 6 | ||
Brusbild 0.75dB | ||
Tredje ordningens avlyssning OIP3 5dBm | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Höjd 0.37mm | ||
Bredd 0.7mm | ||
Längd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Serie BGA7L1BN6 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon BGA7L1BN6-serien RF-förstärkare, 13,6 dB förstärkning, 0,70 dB brusfaktor - BGA7L1BN6E6327XTSA1
Denna RF-förstärkare är en silikon-germanium-enhet med lågt brus som är utformad för att öka svaga RF-signaler i kommunikationssystem. Den arbetar runt 960 MHz och är avsedd för ytmonterade tillämpningar där en lågspänningsförsörjning och kompakt fotavtryck krävs. Komponenten är specifik för icke-fordonsmiljöer och fungerar inom ett brett omgivningstemperaturområde.
Funktioner och fördelar:
• Förstärkning på 13.6 dB förbättrar signalstyrkan för mottagning på framsidan
• Brusfaktor på 0,70 dB minskar extra brus under förstärkning
• OOIP3 5 dBm förbättrar linjäritet vid måttlig ingångseffekt
• 1,5 till 3,6 V strömförsörjning stöder systemkonstruktioner med låg spänning
• TSNP-6-2-paketet för ytmontering möjliggör kompakta kretskortslayouter
• Brusfaktor på 0,70 dB minskar extra brus under förstärkning
• OOIP3 5 dBm förbättrar linjäritet vid måttlig ingångseffekt
• 1,5 till 3,6 V strömförsörjning stöder systemkonstruktioner med låg spänning
• TSNP-6-2-paketet för ytmontering möjliggör kompakta kretskortslayouter
Användningsområden
• Lämplig för 960 MHz mottagarfrontändar
• Idealisk för SiGe-RF-konstruktioner med lågt brus
• Används med kompakta trådlösa moduler som kräver låg NF
• Kan användas för bärbar RF-utrustning med låg spänning
• Lämplig för integrering av 6-stifts RF-förstärkare
• Idealisk för SiGe-RF-konstruktioner med lågt brus
• Används med kompakta trådlösa moduler som kräver låg NF
• Kan användas för bärbar RF-utrustning med låg spänning
• Lämplig för integrering av 6-stifts RF-förstärkare
Inom vilket temperaturintervall kan den användas på ett tillförlitligt sätt?
Den är klassad för drift mellan -40 och 85 °C.
Hur många stift har paketet för kretskortslayout?
Enheten använder ett 6-stiftsarrangemang i en TSNP-6-2-kapsel.
Vilken teknik används i transistorstrukturen?
Förstärkaren använder kisel-germanium-teknik.
Vilken monteringsmetod krävs för montering?
Den är avsedd för ytmontering på kretskortet.
Vilka standardgodkännanden gäller miljöhantering?
Komponenten uppfyller JEDEC 47/20/22-godkännanden.
Relaterade länkar
- Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 13.6 dB, 6 Ben 960MHz, TSNP-6-2
- Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 12.5 dB, 6 Ben, TSNP-6-2
- Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 17.8 dB, 6 Ben 1300MHz, TSNP
- Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 22.2 dB, 6 Ben 1300MHz, TSNP
- Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 16.3 dB, 6 Ben 1000 MHz, TSNP
- Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 18.1 dB, 6 Ben 2690 MHz, TSNP
- Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 21.2 dB, 6 Ben 1615 MHz, TSNP
- Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 20 dB, 7 Ben 1.615GHz, TSNP
