Infineon, RF-förstärkare Låg ljudnivå 12.5 dB, 6 Ben, TSNP-6-2

Se alla RF-förstärkarkretsar

Antal (1 rulle med 15000 enheter)*

52 410,00 kr

(exkl. moms)

65 520,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
15000 +3,494 kr52 410,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5223
Tillv. art.nr:
BGA7H1N6E6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

RF-förstärkare

Förstärkartyp

Låg ljudnivå

Typ av fäste

Yta

Förstärkning

12.5dB

Minsta matningsspänning

-0.3V

Kapseltyp

TSNP-6-2

Antal ben

6

Maximal matningsspänning

3.6V

Minsta arbetsstemperatur

-60°C

Brusbild

0.6dB

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.37mm

Fordonsstandard

Nej

Serie

BGA7H1N6

COO (ursprungsland):
MY
Infineons RF-förstärkare är en frontförstärkare med lågt brus för LTE som täcker ett brett frekvensområde från 2300 MHz till 2690 MHz. LNA ger 12,5 dB förstärkning och 0,60 dB brusfaktor vid en strömförbrukning på 4,7 mA. Denna RF-förstärkare baseras på kiselgermaniumteknik. Den fungerar från 1,5 V till 3,3 V matningsspänning.

Blyfritt hölje

RoHS-kompatibel

Låg brusfaktor

Digital på-av-omkopplare

Låg strömförbrukning

Endast 1 extern SMD-komponent krävs

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.