Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4763
- Tillv. art.nr:
- IRF3205PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
401,20 kr
(exkl. moms)
501,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 000 enhet(er) levereras från den 23 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 8,024 kr | 401,20 kr |
| 100 - 200 | 6,42 kr | 321,00 kr |
| 250 - 450 | 6,019 kr | 300,95 kr |
| 500 - 950 | 5,618 kr | 280,90 kr |
| 1000 + | 5,215 kr | 260,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4763
- Tillv. art.nr:
- IRF3205PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 146nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.54mm | |
| Bredd | 4.69 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 146nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 8.77mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.54mm | ||
Bredd 4.69 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon HEXFET Series MOSFET, 110A Maximum Continuous Drain Current, 55V Maximum Drain Source Voltage - IRF3205PBF
This HEXFET MOSFET is a high-performance power electronics component designed for demanding applications. It features an N-channel configuration with a maximum continuous drain current of 110A and a maximum drain-source voltage of 55V. The TO-220AB package ensures efficient thermal management and is suitable for use in a variety of industrial settings.
Features & Benefits
• Capable of operating at high temperatures up to +175°C
• Offers fast switching characteristics for improved performance
• Excellent avalanche rating for added durability
• Enhancement mode design provides stable operation
• Designed for ease of use in through-hole mounting
Applications
• Used for power conversion in power supplies
• Suitable for motor control
• Utilised in battery management systems
• Applied in high-frequency switching circuits
• Integrated into consumer electronics power systems
What thermal characteristics should be considered for this component?
The thermal resistance from junction-to-case is 0.75°C/W, and the case-to-sink can be as low as 0.50°C/W when applied to a flat, greased surface. This is essential for maintaining optimal performance during high-load scenarios.
How can the specifications influence overall performance?
The low on-resistance and high continuous drain current capability allow for reduced power loss and improved thermal efficiency, leading to enhanced reliability in various applications.
What methods can be applied for effective heat dissipation?
Utilising a heatsink in conjunction with the TO-220AB package can vastly improve heat dissipation during operation, ensuring that the device remains within safe thermal limits.