Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 2000 enheter)*

10 106,00 kr

(exkl. moms)

12 632,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
2000 +5,053 kr10 106,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6760
Tillv. art.nr:
IRFIZ44NPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.036Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It has 4.8mm sink to lead creep age distance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fully avalanche rated

High voltage isolation 2.5KVRMS

relaterade länkar