Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE

RS-artikelnummer:: 914-0223
Tillv. art.nr:: IPD80R1K0CEATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

107,52 kr

(exkl. moms)

134,40 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 2 260 enhet(er) från den 18 mars 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	10,752 kr	107,52 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 914-0223
Tillv. art.nr:: IPD80R1K0CEATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	5.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds	800V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	CoolMOS CE
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	950mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30 V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal effektförlust Pd	83W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	31nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.22 mm
	Längd	6.73mm
	Höjd	2.41mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds 800V
	Kapseltyp TO-252
	Serie CoolMOS CE
	Fästetyp Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 950mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal effektförlust Pd 83W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.22 mm
	Längd 6.73mm
	Höjd 2.41mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Inte relevant

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 5.7A Maximum Continuous Drain Current, 83W Maximum Power Dissipation - IPD80R1K0CEATMA1

This MOSFET provides solutions for power management and general electronics, leveraging advanced CoolMOS CE technology with high voltage capabilities up to 800V. It boasts high efficiency and low on-state resistance, optimising design while enhancing reliability.

Features & Benefits

• Increased power density allows for more compact system designs

• Reduced cooling requirements lead to cost savings for systems

• Lower operating temperatures enhance system reliability

• High peak current capability supports rigorous applications

• Reliable dv/dt rating ensures stability under rapid voltage changes

• Complies with RoHS standards for environmentally sound use

Applications

• Used in LED lighting solutions for retrofit installations

• Suitable for QR flyback topology in power supplies

• Effective within automotive power distribution systems

• Ideal for various high-voltage industrial

How does the MOSFET enhance system performance in power management?

It improves power density and reduces thermal requirements, leading to enhanced efficiency and lower energy losses during operation.

What are the benefits of using this device in LED lighting applications?

It delivers dependable performance with less heat generation, contributing to longevity and stability in lighting systems.

Is this compatible with high-frequency applications?

Yes, its low gate charge and high peak current capabilities make it apt for high-frequency operations, ensuring minimal switching losses.

What is the maximum continuous drain current for this device?

The maximum continuous drain current is rated at 5.7A, making it suitable for various power-intensive applications.

What temperature range can it operate within?

It operates effectively between -55°C and +150°C, offering versatility across different environments.