Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

110,88 kr

(exkl. moms)

138,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 175 enhet(er) från den 19 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +22,176 kr110,88 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
892-2166
Tillv. art.nr:
IPI086N10N3GXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-262

Serie

OptiMOS 3

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

15.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

42nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

11.177mm

Bredd

4.57 mm

Längd

10.36mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 80A Maximum Continuous Drain Current, 125W Maximum Power Dissipation - IPI086N10N3GXKSA1


This MOSFET is designed for high-efficiency power management applications and is suitable for various sectors, including automation and electronics. With a continuous drain current of 80A and a maximum drain-source voltage of 100V, it offers a dependable and efficient solution for electronic systems.

Features & Benefits


• N-channel design optimises electrical performance

• Low RDS(on) reduces power losses

• High power dissipation capability accommodates intensive applications

• Enhanced gate threshold improves switching efficiency

• Through hole mounting allows easy integration into circuits

Applications


• Used for high-frequency switching in power supplies

• Facilitates synchronous rectification in converter circuits

• Suitable for industrial automation systems requiring efficient power control

• Applied in various electronic devices for enhanced energy efficiency

• Appropriate for automotive requiring consistent performance

What is the significance of the low RDS(on) in this device?


The low RDS(on) value minimises energy losses during switching, increasing overall system performance.

How does the MOSFET handle high temperatures?


It is designed to function at temperatures up to 175°C, ensuring consistent performance even in challenging environmental conditions.

What mounting type does this component require?


It features a through hole mounting design that facilitates straightforward integration into existing PCB layouts.

Is it suitable for use in synchronous rectification?


Yes, it is specifically designed for efficient synchronous rectification in power electronics, promoting overall energy savings.

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V och över


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar