Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP296NH6327XTSA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

308,00 kr

(exkl. moms)

385,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 150 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 1 250 enhet(er) från den 14 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +6,16 kr308,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
826-9260
Tillv. art.nr:
BSP296NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-223

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

800mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Height

1.6mm

Width

3.5 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

relaterade länkar