Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q
- RS-artikelnummer:
- 462-2935
- Tillv. art.nr:
- BSP603S2LHUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 462-2935
- Tillv. art.nr:
- BSP603S2LHUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 6.5mm | |
| Bredd | 3.5 mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie OptiMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 6.5mm | ||
Bredd 3.5 mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q | ||
Infineon OptiMOS™ Series MOSFET, 5.2A Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP603S2LHUMA1
This N-channel MOSFET is engineered for efficient performance across various electrical applications. With a maximum continuous drain current of 5.2A and a maximum drain-source voltage of 55V, it provides robust capabilities for power management and control, making it an important component for professionals in automotive and electronics industries.
Features & Benefits
• Low RDS(on) minimises power loss during operation
• Maximum gate threshold voltage improves switching efficiency
• Surface mount design facilitates integration into compact PCBs
• AEC-qualified to meet stringent automotive standards
• High-temperature operation rated up to +150°C for durability
Applications
• Power management in automotive electronics
• Suitable for DC-DC converters in electric vehicles
• Utilised in motor control for robotics and automation
• Load switch in consumer electronics
What is the typical gate charge at 10V?
The typical gate charge is 31nC, optimising switching performance at 10V.
Is this suitable for applications in high-temperature environments?
Yes, it operates reliably at temperatures up to +150°C, ideal for challenging conditions.
How does this component handle significant current loads?
With a maximum continuous drain current of 5.2A, it effectively manages high loads while maintaining performance.
Can this MOSFET effectively reduce energy losses?
Yes, the low RDS(on) feature minimises on-state resistance, aiding in reducing energy losses during operation.
Does this product adhere to environmental standards?
Yes, it is RoHS compliant, ensuring it meets environmental safety standards for electronic components.
