Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA416DJ-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

62,06 kr

(exkl. moms)

77,58 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1803,103 kr62,06 kr
200 - 4802,548 kr50,96 kr
500 - 9802,363 kr47,26 kr
1000 - 19802,307 kr46,14 kr
2000 +2,251 kr45,02 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
818-1441
Tillv. art.nr:
SIA416DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SC-70

Series

ThunderFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

2.15 mm

Height

0.75mm

Length

2.15mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar