Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

87,92 kr

(exkl. moms)

109,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 920 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1804,396 kr87,92 kr
200 - 4803,248 kr64,96 kr
500 - 9802,722 kr54,44 kr
1000 - 19802,419 kr48,38 kr
2000 +1,759 kr35,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
814-1213
Tillv. art.nr:
SIA449DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.038Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23.1nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.15mm

Height

0.8mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

2.15 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar