Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

87,92 kr

(exkl. moms)

109,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 920 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1804,396 kr87,92 kr
200 - 4803,248 kr64,96 kr
500 - 9802,722 kr54,44 kr
1000 - 19802,419 kr48,38 kr
2000 +1,759 kr35,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
814-1213
Tillv. art.nr:
SIA449DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-363

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

0.038Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23.1nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

-0.8V

Maximal effektförlust Pd

19W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

2.15mm

Bredd

2.15 mm

Höjd

0.8mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar