Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 12 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
180-7264
Tillv. art.nr:
SI1401EDH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

SOT-363

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

34mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

1.8W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14.1nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.2mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 12V and a maximum gate-source voltage of 10V. It has drain-source resistance of 34mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 2.8W and continuous drain current of 4A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 1.5V and 4.5V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

• Typical ESD performance 1500V

Applications


• Cellular phone

• DSC

• GPS

• Load switch

• MP3

• PA switch and battery switch for portable devices

• Portable game console

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

Relaterade länkar