Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

78,51 kr

(exkl. moms)

98,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Dessutom levereras 60 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Sista 1 860 enhet(er) levereras från den 05 januari 2026
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 907,851 kr78,51 kr
100 - 2407,683 kr76,83 kr
250 - 4906,048 kr60,48 kr
500 - 9903,842 kr38,42 kr
1000 +3,45 kr34,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9443
Tillv. art.nr:
SQ2310ES-T1_BE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

SQ Rugged

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.03Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC

Length

3.04mm

Automotive Standard

AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs


• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

relaterade länkar