STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 761-0207
- Tillv. art.nr:
- STP9NK60ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
44,13 kr
(exkl. moms)
55,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 40 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 85 enhet(er) från den 03 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 8,826 kr | 44,13 kr |
| 10 - 95 | 8,58 kr | 42,90 kr |
| 100 - 495 | 8,356 kr | 41,78 kr |
| 500 - 995 | 8,154 kr | 40,77 kr |
| 1000 + | 7,93 kr | 39,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-0207
- Tillv. art.nr:
- STP9NK60ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 950mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 950mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Höjd 16.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 250V till 650V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 7 A 600 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4 A 600 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 A 900 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.2 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6.5 A 1 kV Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 9 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
