STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 687-5273
- Tillv. art.nr:
- STP10NK80ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
102,70 kr
(exkl. moms)
128,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 14 september 2026
- Dessutom levereras 156 enhet(er) från den 21 september 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 51,35 kr | 102,70 kr |
| 20 - 98 | 30,14 kr | 60,28 kr |
| 100 - 198 | 21,26 kr | 42,52 kr |
| 200 + | 16,585 kr | 33,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5273
- Tillv. art.nr:
- STP10NK80ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.6mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4.3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
