Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS127H6327XTSA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

62,50 kr

(exkl. moms)

78,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2252,50 kr62,50 kr
250 - 6001,725 kr43,13 kr
625 - 12251,604 kr40,10 kr
1250 - 24751,501 kr37,53 kr
2500 +1,124 kr28,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
753-2832
Tillv. art.nr:
BSS127H6327XTSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Forward Voltage Vf

0.82V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.65nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2.9mm

Width

1.3 mm

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

relaterade länkar