N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS127H6327XTSA2

RS-artikelnummer:: 753-2832
Tillv. art.nr:: BSS127H6327XTSA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS127H6327XTSA2

Mängdrabatt möjlig

Pris (ex. moms) Var (i ett paket med 25)

3,358 kr

(exkl. moms)

4,198 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans 2025-03-30*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per förpackning**
25 - 225	3,358 kr	83,95 kr
250 - 600	2,32 kr	58,00 kr
625 - 1225	2,152 kr	53,80 kr
1250 - 2475	2,018 kr	50,45 kr
2500 +	1,513 kr	37,825 kr

RS-artikelnummer:: 753-2832
Tillv. art.nr:: BSS127H6327XTSA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

BSS127, SIPMOS Small-Signal-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	21 mA
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Series	SIPMOS®
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	600 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.4V
Maximum Power Dissipation	500 mW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	0.65 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	2.9mm
Width	1.3mm
Height	1mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS127H6327XTSA2

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs