Nexperia BSH203 Type P-Channel MOSFET, 470 mA, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSH203,215
- RS-artikelnummer:
- 725-8366
- Tillv. art.nr:
- BSH203,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
42,64 kr
(exkl. moms)
53,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 160 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 80 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 2 560 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 2,132 kr | 42,64 kr |
| 40 - 80 | 1,919 kr | 38,38 kr |
| 100 + | 1,706 kr | 34,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 725-8366
- Tillv. art.nr:
- BSH203,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 470mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | BSH203 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 900mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 417mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Length | 3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 470mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series BSH203 | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 417mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Length 3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
relaterade länkar
- Nexperia BSH203 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia PMV250EPEA Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV65XPEAR
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV27UPEAR
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV30XPEAR
