Nexperia Type P-Channel MOSFET, -5.3 A, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 670,00 kr

(exkl. moms)

7 080,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 03 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,89 kr5 670,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
153-0708
Tillv. art.nr:
PMV30XPEAR
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-5.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

57mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Power Dissipation Pd

5.44W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Length

3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

20 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Very fast switching

Enhanced power dissipation capability: Ptot = 980 mW

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

AEC-Q101 qualified

Relay driver

High-speed line driver

High-side loadswitch

Switching circuits

relaterade länkar