STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 687-5197
- Tillv. art.nr:
- STB55NF06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
58,91 kr
(exkl. moms)
73,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 06 april 2026
- Dessutom levereras 2 005 enhet(er) från den 13 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 11,782 kr | 58,91 kr |
| 10 + | 11,178 kr | 55,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5197
- Tillv. art.nr:
- STB55NF06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | STripFET II | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie STripFET II | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 50 A 60 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 120 A 100 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 35 A 100 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 100 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 55 A 60 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 75 A 75 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 55 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 60 A 60 V Förbättring TO-263, STripFET II AEC-Q101
