STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

102,14 kr

(exkl. moms)

127,675 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4520,428 kr102,14 kr
50 - 24512,726 kr63,63 kr
250 - 4959,704 kr48,52 kr
500 +8,682 kr43,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-5194
Tillv. art.nr:
STB30NF10T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

STripFET II

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

45mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

115W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

40nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.6mm

Längd

10.4mm

Bredd

9.35mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.