STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 687-5071
- Tillv. art.nr:
- STD60NF06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
116,26 kr
(exkl. moms)
145,325 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 140 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 23,252 kr | 116,26 kr |
| 10 - 95 | 19,936 kr | 99,68 kr |
| 100 - 495 | 14,828 kr | 74,14 kr |
| 500 - 995 | 12,544 kr | 62,72 kr |
| 1000 + | 10,08 kr | 50,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5071
- Tillv. art.nr:
- STD60NF06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 49nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.2 mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.2 mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 60 A 60 V Förbättring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 35 A 60 V Förbättring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 12 A 60 V Förbättring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 25 A 100 V Förbättring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 17 A 250 V Förbättring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 60 A 60 V Förbättring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 24 A 60 V Förbättring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 35 A 60 V Förbättring TO-252, STripFET
