STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 485-7800
- Tillv. art.nr:
- STP60NF06
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
109,54 kr
(exkl. moms)
136,925 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 265 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 3 400 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,908 kr | 109,54 kr |
| 50 - 245 | 12,86 kr | 64,30 kr |
| 250 - 495 | 9,07 kr | 45,35 kr |
| 500 + | 7,076 kr | 35,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 485-7800
- Tillv. art.nr:
- STP60NF06
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | STripFET II | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 49nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie STripFET II | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II