onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS7002A
- RS-artikelnummer:
- 671-1093
- Tillv. art.nr:
- NDS7002A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
15,57 kr
(exkl. moms)
19,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 50 740 enhet(er) levereras från den 26 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,557 kr | 15,57 kr |
| 100 - 240 | 1,344 kr | 13,44 kr |
| 250 - 490 | 1,165 kr | 11,65 kr |
| 500 - 990 | 1,019 kr | 10,19 kr |
| 1000 + | 0,93 kr | 9,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-1093
- Tillv. art.nr:
- NDS7002A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 280mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | NDS7002A | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 300mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.88V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.93mm | |
| Längd | 2.92mm | |
| Bredd | 1.3 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 280mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie NDS7002A | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 300mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.88V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.93mm | ||
Längd 2.92mm | ||
Bredd 1.3 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 280 mA 60 V Förbättring SOT-23, NDS7002A
- Microchip Typ N Kanal 280 mA 60 V Förbättring SOT-23, TN2106
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad 280 mA 60 V Förbättring SOT-563
- onsemi Typ N Kanal 2.2 A 60 V Förbättring SOT-23
- onsemi Typ P Kanal 2.4 A 20 V Förbättring SOT-23
- onsemi Typ N Kanal 2.4 A 30 V Förbättring SOT-23
- onsemi Typ P Kanal 1 A 20 V Förbättring SOT-23
- onsemi Typ P Kanal 1.9 A 30 V Förbättring SOT-23
