Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

14,90 kr

(exkl. moms)

18,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • 3 kvar, redo att levereras
  • Sista 711 enhet(er) levereras från den 13 april 2026
Enheter
Per enhet
1 - 914,90 kr
10 - 4913,44 kr
50 - 9912,66 kr
100 - 24911,20 kr
250 +10,53 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
542-9412
Tillv. art.nr:
IRF820APBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Kapseltyp

TO-220

Serie

IRF

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

50W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.01mm

Längd

10.41mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.

Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C

Relaterade länkar