Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

13,89 kr

(exkl. moms)

17,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 290 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 9 152 enhet(er) från den 18 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 913,89 kr
10 - 4912,66 kr
50 - 9911,87 kr
100 - 24910,98 kr
250 +10,19 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
541-0014
Distrelec artikelnummer:
303-41-285
Tillv. art.nr:
IRF640NPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

18A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HEXFET

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

150mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

150W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

67nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.69 mm

Höjd

8.77mm

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 18 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 150 W maximal effektförlust - IRF640NPBF


Denna MOSFET är avsedd för högeffektiva switchapplikationer och ger en tillförlitlig lösning för olika elektroniska system. N-kanalskonfigurationen ger minimal on-resistans och hög tillförlitlighet, vilket gör den lämplig för strömhantering i industriella och kommersiella miljöer. Denna komponent är speciellt utformad för användare inom automations- och elbranschen och garanterar optimal prestanda i deras applikationer.

Funktioner & fördelar


• Kontinuerlig dräneringsström på upp till 18 A för robust effekthantering

• Fungerar effektivt vid spänningsnivåer på upp till 200 V för ökad mångsidighet

• Låg on-resistans minimerar energiförlusten under drift

• Förenklade drivkrav underlättar integrering i kretsar

• Fullständigt lavinklassad för ökad säkerhet och prestanda

Användningsområden


• Används i strömförsörjningskretsar för industriell automation

• Lämplig för motorstyrning inom robotteknik

• Idealisk för system för förnybar energi, t.ex. solcellsväxelriktare

• Används i kraftomkopplingssystem för elektrisk utrustning

• Används i förstärkningssteg för ljudutrustning

Hur påverkar temperaturen prestandan?


Enheten fungerar effektivt inom -55°C till +175°C, vilket möjliggör användning i olika termiska miljöer utan att kompromissa med prestandan.

Vilken betydelse har den maximala gate-source-spänningen?


MOSFET:en stöder gate-source-spänningsnivåer på ±20V, vilket garanterar säker drift och förhindrar skador vid växling.

Klarar den här komponenten plötsliga spänningsspikar?


Ja, den är helt lavinklassad, vilket gör att den klarar korta spänningsspikar, vilket förbättrar dess prestanda i utmanande applikationer.

Vilken inverkan har on-resistens på den totala effektiviteten?


Låg on-resistans minskar avsevärt effektförlusten under drift och förbättrar därmed energieffektiviteten i applikationer för strömhantering.

Är den lämplig för ytmonterade applikationer?


TO-220AB-paketet är speciellt utformat för genomgående hålmontering, vilket säkerställer effektiv värmeavledning i stället för ytmontering.

Relaterade länkar