Infineon N Kanal, MOSFET, 85 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 495-568
- Tillv. art.nr:
- IRFB4321PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
34,50 kr
(exkl. moms)
43,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 994 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 34,50 kr |
| 10 - 24 | 32,70 kr |
| 25 - 49 | 31,47 kr |
| 50 - 99 | 30,13 kr |
| 100 + | 27,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 495-568
- Tillv. art.nr:
- IRFB4321PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 85A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 71nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.66mm | |
| Bredd | 4.82mm | |
| Höjd | 9.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 85A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 350W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 71nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.66mm | ||
Bredd 4.82mm | ||
Höjd 9.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Motorstyrning och AC-DC synkron likriktare MOSFET, Infineon
MOSFET för motorstyrning
Infineon erbjuder en omfattande portfölj av robusta N-kanals och P-kanals MOSFET-enheter för motorstyrningsapplikationer.
MOSFET med synkron likriktare
En portfölj med MOSFET-enheter med synkron likriktning för AC-DC-strömförsörjning uppfyller kundernas krav på högre effekttäthet, mindre storlek, större bärbarhet och mer flexibla system.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 85 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 51 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 150 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 150 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET